Предисловие |
8 |
Введение |
10 |
Глава 1. Нанокластеры |
26 |
1.1. Классическая теория зародышеобразования. |
28 |
1.2. Методы синтеза кластеров |
31 |
1.3. Структура и свойства кластеров |
33 |
1.3.1. Магические числа |
35 |
1.3.2. Теоретическая модель кластера |
37 |
Глава 2. Наноструктуры |
44 |
2.1. Классификация наноструктур |
44 |
2.2. Нульмерные наноструктуры |
45 |
2.3. Одномерные наноструктуры |
45 |
2.3.1. Материалы одномерных наноструктур |
47 |
2.3.2. Формирование одномерных наноструктур |
47 |
2.4. Тубулярные наноструктуры |
50 |
2.4.1. Углеродные нанотрубки |
50 |
2.4.1.1. История открытия углеродных нанотрубок |
50 |
2.4.1.2. Структура углеродных нанотрубок |
52 |
2.4.1.3. Многостенные нанотрубки |
56 |
2.4.1.4. Механизмы роста нанотрубок |
57 |
2.4.1.5. Синтез углеродных нанотрубок |
61 |
2.4.1.6. Разделение ОСНТ |
66 |
2.4.1.7. Физические свойства углеродных нанотрубок |
66 |
2.4.1.8. Интеркалированные нанотрубки |
70 |
2.4.2. Неорганические тубулярные структуры |
72 |
2.4.2.1. Подходы к синтезу неорганических нанотрубок |
73 |
2.4.2.2. Синтез неорганических нанотрубок |
74 |
2.5. Двумерные наноструктуры |
75 |
2.5.1. Осаждение пленок из газовой фазы |
76 |
2.5.1.1. Кинетика и термодинамика процессов роста пленок |
77 |
2.5.1.2. Механизмы роста пленок |
79 |
2.5.2. Физические методы осаждения пленок |
81 |
2.5.2.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) |
81 |
2.5.2.2. Импульсное лазерное осаждение (ИЛО) |
83 |
2.5.2.3. Распылительное осаждение |
84 |
2.5.3. Методы химического осаждения пленок |
85 |
2.5.3.1. Химическое осаждение из газовой фазы (CVD) |
85 |
2.5.3.2. Послойное осаждение пленок |
89 |
2.5.3.3. Химическое осаждение из растворов |
89 |
2.5.3.4. Пленки Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ) |
91 |
2.6. Трехмерные наноструктуры |
93 |
Глава 3. Свойства веществ в нанокристаллическом состоянии |
96 |
3.1. Оптические и электронные свойства наносистем |
96 |
3.1.1. Оптические свойства наночастиц металлов. Плазмонный резона» |
97 |
3.1.2. Оптические свойства полупроводниковых наночастиц.
Квантоворазмерный эффект |
103 |
3.1.3. Зонная структура |
109 |
3.1.4. Поверхность нанокристаллов: дефекты координации и барьерное ограничение |
111 |
3.1.4.1. Сокращение длины связей в приповерхностном слое |
111 |
3.1.4.2. Поверхностный потенциальный барьер |
ИЗ |
3.1.5. Сокращение поверхностных связей, энергия связывания и
отношение поверхности к объему |
113 |
3.1.6. Зависимость зонной структуры от размера наночастиц. |
114 |
3.2. Фотонные кристаллы |
117 |
3.2.1. Размерность фотонных кристаллов |
119 |
3.2.1.1. Фотонные запрещенные зоны |
119 |
3.2.2. Основы теории фотонных кристаллов: одномерный случай |
121 |
3.2.3. Методы формирования фотонных кристаллов |
122 |
3.2.4. Опалы как шаблон для создания фотонных кристаллов |
124 |
3.2.4.1. Природные опалы |
125 |
3.2.5. Синтетические опалы |
126 |
3.2.6. Кристаллическая структура синтетических опалов |
126 |
3.2.7. Фотонные кристаллы на основе синтетических опалов |
128 |
3.2.8. Материалы на основе фотонных кристаллов. Области применения. |
131 |
3.3. Магнитные свойства наносистем |
133 |
3.3.1. Доменная структура ферромагнитных материалов |
135 |
3.3.2. Суперпарамагнетизм |
138 |
3.3.3. Энергия магнитной анизотропии |
141 |
3.3.3.1. Магнитокристаллическая анизотропия |
141 |
3.3.4. Анизотропия формы |
143 |
3.3.5. Анизотропия механического напряжения |
147 |
3.3.6. Обменная анизотропия |
148 |
3.3.7. Перемагничивание однодоменных частиц |
149 |
3.3.8. Когерентное вращение магнитных моментов |
151 |
3.3.9." Свертка" магнитных моментов с образованием вихревого поля |
153 |
3.3.10. Магнитостатические взаимодействия нанонитей |
155 |
3.3.11. Магнитные наноматериалы |
155 |
3.4. Механические свойства наносистем |
157 |
3.4.1. Закон Холла-Петча |
158 |
3.4.2. Структура межзеренных границ |
160 |
3.4.3. Дефекты в наноструктурированных материалах |
160 |
3.4.4. Влияние границ раздела на механические свойства
нанокристаллических наноматериалов |
164 |
3.4.5. Упругие свойства. Высокотемпературная ползучесть |
164 |
3.4.6. Моделирование зерен и межзеренных границ при нагружении |
166 |
3.4.7. Нанокомпозиты. Армирование. Адгезионная прочность |
167 |
3.4.8. Механические свойства углеродных нанотрубок |
168 |
Глава 4. Методы получения наноматериалов |
172 |
4.1. Классификация методов синтеза наноматериалов |
173 |
4.1.1. Физические методы синтеза |
176 |
4.1.1.1. Газофазный синтез |
176 |
4.1.1.2. Механосинтез, детонационный синтез и электровзрыв |
178 |
4.1.2. Химические методы синтеза |
179 |
4.1.2.1. Золь-гель метод |
179 |
4.1.2.2. Гидротермальный и сольвотермальный синтез |
181 |
4.1.2.3. Коллоидные нанореакторы |
183 |
4.2. Методы разделения наночастиц по размеру |
203 |
4.3. Процессы самосборки в наносистемах |
206 |
4.3.1. Сверхкластеры |
218 |
4.3.2. Движущие силы организации наносистем |
219 |
4.3.3. Консервативная самоорганизация |
222 |
4.3.4. Диссипативная самоорганизация |
224 |
4.3.4.1. Принцип Кюри |
228 |
4.3.4.2. Соотношения взаимности Онсагера |
228 |
4.3.4.3. Теорема Глансдорфа-Пригожина |
229 |
4.4. Синтез наночастиц в аморфных матрицах |
239 |
4.5. Синтез наночастиц в упорядоченных матрицах |
240 |
4.5.1. Наночастицы в нульмерных нанореакторах |
240 |
4.5.1.1. Цеолиты |
240 |
4.5.2. Наночастицы в одномерных нанореакторах |
245 |
4.5.2.1. Мезопористые молекулярные сита |
245 |
4.5.2.2. Пористый оксид алюминия |
258 |
4.5.3. Наночастицы в двумерных нанореакторах |
268 |
4.5.3.1. Слоистые двойные гидроксиды |
268 |
4.6. Нанолитография |
274 |
4.6.1. Классификация методов литографии |
276 |
4.6.2. Оптическая литография |
276 |
4.6.2.1. Схема контроля освещенности, проекционная литография. |
277 |
4.6.2.2. Маски микро- и нанолитографии |
278 |
4.6.2.3. Внеосевая литография |
280 |
4.6.2.4. Оптические схемы. Материалы оптических систем |
280 |
4.6.2.5. Материалы резистов |
282 |
4.6.3. Электронно-лучевая литография (ЭЛЛ) |
283 |
4.6.3.1. SCALPEL |
284 |
4.6.4. Ионно-лучевая литография (ИЛЛ) |
285 |
4.6.5. Безмасочная литография (direct writing) |
286 |
4.6.5.1. Воздействие сфокусированным пучком заряженных частиц FIB-литография |
286 |
4.6.5.2. Механическое воздействие зондом СЗМ |
288 |
4.6.5.3. Нанооксидирование |
288 |
4.6.6. Технологии нанопечати |
289 |
4.6.6.1. Метод горячего тиснения (hot embossing technique) |
290 |
4.6.6.2. Использование полимеризации резиста |
290 |
Глава 5. Методы исследования веществ в нанокристаллическом состоянии |
296 |
5.1. Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) |
296 |
5.1.1. Сканирующая туннельная микроскопия |
298 |
5.1.2. Атомно-силовая микроскопия |
301 |
5.2. Автоионная микроскопия (АИМ) |
307 |
5.3. Методы электронной микроскопии |
308 |
5.3.1. Формирование изображения |
311 |
5.3.2. Возможности электронной микроскопии |
314 |
5.4. Спектроскопические методы |
318 |
5.4.1. Радиоспектроскопия |
318 |
5.4.1.1. Микроволновая спектроскопия |
318 |
5.4.1.2.Ядерный магнитный резонанс (ЯМР) |
319 |
5.4.1.3. Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) |
321 |
5.4.2. ИК и КР-спектроскопия |
324 |
5.4.3. Рентгеновская и фотоэлектронная спектроскопия |
329 |
5.4.3.1. Рентгеновская спектроскопия поглощения (EXAFS, XANES) |
330 |
5.4.3.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС). |
331 |
5.4.3.3. Рентгенофлуоресцентная спектроскопия |
333 |
5.4.4. Мессбауэровская спектроскопия |
333 |
5.5. Дифракционные методы исследования |
334 |
5.5.1. Основы теории дифракции |
334 |
5.5.2. Дифракция на кристаллических решетках |
337 |
5.5.3. Дифракция в аморфных веществах |
338 |
5.5.4. Размерные эффекты в дифракционных картинах наноструктур |
339 |
5.5.5. Характеризация функциональных свойств наносистем дифракционными методами |
343 |
Глава 6. Применение функциональных наноматериалов |
353 |
6.1. Наномеханизмы и наноустройства. Микро- и наноэлектромеханические системы |
355 |
6.1.1. Микро- и нанотрибология |
358 |
6.1.2. Наномеханика и износ наномеханизмов |
361 |
6.1.3. Преобразование энергии |
363 |
6.1.4. Электростатические актюаторы |
364 |
6.1.5. Магнитные актюаторы |
366 |
6.1.6. Пьезоэлектрические актюаторы |
367 |
6.1.7. Тепловые актюаторы |
370 |
6.1.8. Гидравлические актюаторы |
371 |
6.1.9. Сенсорные НЭМС |
372 |
6.1.10. Технологии производства МЭМС и НЭМС |
374 |
6.1 11. Материалы для МЭМС и НЭМС |
375 |
6.1.12. Молекулярные актюаторы |
375 |
6.1.12.1. Молекулярные моторы |
376 |
6.1.12.2. Миозин, кинезин и диенин |
379 |
6.1.12.3. Искусственно создаваемые молекулярные актюаторы |
381 |
6.1.12.4. Интеграция биологических молекулярных агрегатов в
устройства |
381 |
6.1.12.5. Ротаксаны и катенаны |
381 |
6.1.12.6. Нанолифт |
385 |
6.1.12.7. Устройства на основе алкенов |
386 |
6.2. Наноэлектроника |
387 |
6.2.1. Современные транзисторы |
389 |
6.2.1.1. Проявление квантовых эффектов |
390 |
6.2.1.2. Проблема плотности энергии и теплоотвода |
390 |
6.2.1.3. Дефекты и ошибки |
390 |
6.2.1.4. Транзисторы на основе углеродных нанотрубок |
391 |
6.2.2. Квантовые компьютеры |
393 |
6.2.2.1. Принципы квантового компьютера (КК). |
394 |
6.2.2.2. Алгоритмы квантового компьютера |
394 |
6.2.2.3. Материалы для квантового компьютера |
395 |
6.2.2.4. Перспективы развития квантовых компьютеров |
397 |
6.3. Молекулярная электроника |
398 |
6.3.1. Исследование электрических свойств структур Не SAM/SAM Hg |
398 |
6.3.2. Определение напряжения пробоя самособирающихся
монослоев из ароматических и алифатических сульфонатов |
399 |
6.3.3. Использование слабой связи для измерения электрических свойств молекул |
399 |
6.3.4. Использование шаблона из Si3N4 для измерения электрических
свойств отдельных молекул |
400 |
6.3.5. Измерение электронных характеристик молекул |
401 |
6.3.6. Элементы молекулярной электроники |
403 |
6.4. Магнитные носители информации |
411 |
6.5. Материалы для бионанотехнологии |
421 |
6.5.1. Конструкционные наноматериалы для медицины |
422 |
6.5.2. Нанофармакология и нанолекарства |
426 |
6.5.3. Синтез, биоконъюгация и биосовместимость наночастиц |
428 |
6.5.4. Магнитные наноматериалы в медицине |
429 |
6.5.5. Магнито-жидкостная гипертермия |
432 |
6.5.6. Нанокапсулы |
435 |
6.5.7. Нанолекарства и наномедицина |
437 |
6.5.8. Наносистемы для диагностики заболеваний |
437 |
6.5.9. Наноинструменты для микробиологии и медицины |
441 |
6.5.10. Токсичность веществ в нанодисперсном состоянии |
445 |