 |
|
|
23.МБ.203. Механизм влияния катионов Fe(III) на характеристики ионоселективных электродов на основе халькогенидов
Фунтиков В. А., Антонова Н. Е.. Актуальные проблемы современной науки. Естественные науки: Труды 3 Международной конференции молодых ученых и студентов, Самара, 30 сент.-2 окт., 2002. Ч. 4-6. Физика. Химия. Наука о Земле. Самара:Изд-во СамГТУ. 2002, с. 88–89. Рус.
Представлены результаты исследования электродных функций твердофазных электродов на основе стекол систем Ge-As-Te, Cu-Ge-Te, Cu-As-Se, Cu-As-Te, Tl-Ge-Te, Tl-As-Te и стеклокристаллов системы Cu-As-Se в градуировочных растворах сульфата трехвалентного железа. Установлено, что практически все электроды на основе стекол и стеклокристаллов исследованных систем имеют отклик на присутствие в растворах ионов трехвалентного железа. Наиболее устойчивые электродные функции наблюдаются для мышьяксодержащих халькогенидных мембран. Особо выделяются мембраны на основе системы Cu-As-Se, электродная функция которых сохраняет линейность в пределах 10-6-10-1 моль/л Fe3+. Величины углового коэффициента близки к 60 мВ/дек, что свидетельствует об электроннообменном механизме потенциалообразования у исследованных стекол и стеклокристаллов. Предположено, что измененный поверхностный слой на мембранах на основе исследованных сплавов образуется за счет того, что происходит частичное окисление поверхности халькогенидного стекла или стеклокристалла, в результате чего к его поверхности присоединяются ионы Fe3+, образуя в результате окислительно-восстановительной реакции центры обмена, содержащие катионы Fe2+. Экспериментально показано, что модификация халькогенидных мембран в растворах солей Fe3+ происходит в результате окисления поверхности мембран, а катионы Fe3+ градуировочных растворов обмениваются с поверхностными ионами железа Fe2+ халькогенидных мембран по механизму окислительно-восстановительной реакции.
Ключевые слова: АКК электроды ионоселективные, АКК халькогениды, АКК железо, к катионы, н Fe(III), АНН влияние на х-ки
|
|
|
|
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.
Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается копирование
материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору
|
